DRAM内存或引入EUV极紫外光刻可将工艺制程推进10nm以下

2021-03-25 10:24:31来源：快科技

储大厂SK海力士的CEO李锡熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲，分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。

3D NAND闪存方面，如今行业的发展重点不是更先进的工艺，也不是QLC、PLC，而是堆叠层数的不断增加，SK海力士就已经做到了176层。

SK海力士此前认为，3D闪存的堆叠层数极限是500层，不过现在更加乐观，认为在不远的将来就能做到600层。

当然，为了做到这一点，需要在技术方面进行诸多创新和突破，比如SK海力士提出了原子层沉积(ALD)技术，进一步强化闪存单元属性，可以更高效地存储、释放电荷，并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。

为了解决薄膜应力(film stress)问题，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。

为了解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰、电荷丢失问题，SK海力士开发了独立的电荷阱氮化物(CTN)结构，以增强可靠性。

另外针对DRAM内存发展，SK海力士在考虑引入EUV极紫外光刻，可将工艺制程推进到10nm以下。

责任编辑：hnmd003

DRAM内存或引入EUV极紫外光刻 可将工艺制程推进10nm以下