三星宣布 12nm 级别 DDR5 DRAM 开始大规模生产：功耗降低 23%，生产效率提高 20% 世界今日讯

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三星宣布，其采用业界最先进 12nm 级别工艺技术的 16Gb DDR5 DRAM 已经开始批量生产。三星表示，通过完成最先进的制造技术，再次证明了其在尖端 DRAM 技术方面的领先地位。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：" 利用差异化的工艺技术，三星行业领先的 12nm 级别 DDR5 DRAM 具有出色的性能和电源效率。最新的 DRAM 反映了我们对引领 DRAM 市场的持续承诺，不仅提供高性能和高容量的产品，满足了计算市场对大规模数据处理的需求，而且还通过对下一代解决方案的商业化，支持更大的产量。"

与上一代产品相比，三星新的 12nm 级别 DDR5 DRAM 的速率达到了 7.2 Gbps，功耗降低了 23%，同时将晶圆的生产效率提高了 20%，出色的电源效率使其成为那些希望减少服务器和数据中心的能耗及碳足迹的全球 IT 公司的理想解决方案，支持包括数据中心、人工智能和下一代计算在内越来越多的应用。

三星在 12nm 级别工艺技术上使用了一种新的 high- κ 材料，有助于提高电池电容。高电容导致数据信号出现明显的电势差，更便于准确区分。同时在降低工作电压和减少噪音方面的努力，也有助于三星提供客户需要的解决方案。