存储芯片春天虽迟但到？AI 点燃需求 HBM “救场”海力士、三星等巨头财报，A 股能否全面吹响“反攻集结号”

财联社 7 月 30 日讯（编辑 刘越）随着各路资本持续加注人工智能，高带宽内存（HBM）供不应求，包括英伟达、AMD、微软和亚马逊等全球科技巨头都在竞购 SK 海力士的第五代高带宽内存 HBM3E。近日HBM" 救场 " 存储芯片巨头财报，三星电子存储业务所在 DS 部门二季度亏损收窄，SK 海力士二季度销售额超出分析师预期，公司表示，生成式 AI 市场的扩张已迅速推高了对 AI 服务器内存的需求，因此，HBM3 和 DDR5 等高端产品的销量增加。从二级市场表现来看，沾上 HBM 概念的 A 股上市公司也乘风而起，HBM 环氧塑封料供应商华海诚科、HBM 代理商香农芯创和 HBM 基板供应商中富电路股价自 5 月迄今累计最大涨幅分别达 157%、158% 和 136%。

美光科技此前曾表示，AI 服务器对 DRAM 和 NAND 的容量需求分别是常规服务器的 8 倍和 3 倍。存储芯片按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的是 DRAM，非易失性存储芯片常见的是 NAND 闪存芯片和 NOR 闪存芯片。据 WSTS 统计，2021 年存储芯片市场中，DRAM 占比达到 61%，NAND Flash 占比为 36%，其他存储芯片占比仅为 3%。

东方财富证券 2 月研报指出，DRAM 的市场头部企业为三星、SK 海力士、美光等，中国大陆代表企业包括长鑫存储、福建晋华等；NAND Flash 的市场头部企业为三星、铠侠、西部数据等，中国大陆代表企业主要为长江存储；NOR Flash 的市场头部企业为华邦、旺宏、兆易创新等，中国大陆代表企业主要为兆易创新。

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▌全球存储芯片三大龙头 SK 海力士、三星和美光业绩反弹 研报指出价格、供需和空间端等吹响行业复苏号角

HBM 是当下数据处理速度最快的 DRAM 产品，是基于 3D 堆叠工艺的 DRAM 内存芯片，将多个 DDR 芯片堆叠后与 GPU 封装在一起，能够实现更高带宽、更高位宽、更低功耗、更小尺寸。最新财报显示，存储芯片 DRAM 三大龙头 SK 海力士、三星和美光业绩端开始反弹。三星电子23Q2 由于智能手机出货量下降而营收下降，但存储业务较上一季度有所改善，官方称主要是由于公司专注于 HBM 和 DDR5 产品；SK 海力士在截至 6 月 30 日的一个季度中，其销售额为 7.31 万亿韩元（约 57 亿美元），同比下降 47%，但超出分析师预计的 6.05 万亿韩元。虽然目前 HBM 在 SK 海力士的营收占比不及 1%，但今年这一比例便有望上升至 10%；美光 23Q2 业绩结束连续三季度的下降迎来反弹，此外，中国台湾地区原厂月度业绩亦连续环比改善。

天风证券潘暕 7 月 17 日发布的研报指出，近期存储芯片利好频传拐点或已现，复苏号角似乎已在耳畔。从历史周期维度看，存储行业周期约为 3-4 年，本周期自 2020Q1 起始，于 2022Q1 价格阶段性见顶，目前已连续 6 个季度降价，处于周期筑底阶段。

价格方面，今年 Q2 起，多家供应商发出触底信号。先是三星和美光向经销商发出通知，不再低价接单 DRAM 及 NANDFlash，拒绝接受低于 4 月的报价。5 月份，有消息称长江存储原厂闪存正式开始涨价 3-5% 幅度后，三星电子、SK 海力士等正在考虑提高报价。6 月下旬，供货商中仅三星愿意进行 cSSD（消费级固态硬盘）提前交易，经销商希望供货商让步但都遭拒绝。

潘暕指出，供给需求端，6 月美光公布预计减产到 2024 年，早前 2022Q4 各原厂大幅削减资本开支，如果按正常生产周期 3-4 个月来看，供给有明显收缩减产效果将在 Q2、Q3 加速显现。南亚科表示公司在部分应用领域已出现急单。华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温，工控相关接单也持续发烫，客户急单涌入，而且 " 量也不少 "。

此外，空间端，短期来看 23Q2 起存储芯片规模或将逐季增长，长期来看 AI 催化下存储需求有望数倍提升。地缘政治端，海外大厂逐步退出利基市场，美光事件加速本土替代。

▌存储芯片将至未至的底部反转或 " 迟到 " 两个季度 机构预计 DRAM 或较 NAND Flash 更快复苏 多家 A 股上市公司跨界布局

值得注意的是，目前存储芯片行业似乎正从多角度证实即将触底反弹，但760 亿 A 股龙头兆易创新股价 " 依然冷静 "。事实上，将至未至的反转甚至已经 " 姗姗来迟 "。近日，市场调研机构 Yole Intelligence 更新了一份存储芯片市场的监测数据报告，在 Yole 原本的预测中，全球存储芯片市场将于 2023 年第二季度开始复苏，但其最新报告指出对于 2023 年第三季度的存储芯片市场不用再抱太大的希望，乐观估计市场将从今年第四季度开始回暖。

不过，预测存储市场将在即将到来的第四季度复苏的不只是 Yole 一家。据台湾经济日报、科技新报援引美国市场调查机构发布的最新报告称，美光、西部数据等存储芯片供货商认为产品价格已跌到底，开始取消以折扣价提前进行批量交易的模式，甚至开始抬高价格。该调查机构预计，Q3 起，存储芯片价格下跌幅度将会收窄，部分产品合约价格很可能从 Q4 起出现上升拐点，不同产品线情况有别，明年有望全面复苏。

从市场面的消息来看，DRAM 的复苏可能相比 NAND Flash 来得更快一些。TrendForce 集邦咨询最新预计称，第三季整体 NAND Flash 均价持续下跌约 3%-8%，第四季有望止跌回升，第三季 DRAM 均价跌幅将会收敛至 0-5%。半导体产业纵横 7 月 25 日发布的文章《存储芯片的寒风，要停了》中指出，DRAM 三季度触底，NAND 再等一季。此前有产业链人士表示，三星、SK 海力士和美光三大厂商都希望在第三季度拉升 DRAM 订单的合约价，目标涨幅 7%-8%。不过，由于终端市场没有看到明显的复苏迹象，因此上下游目前有明显的拉锯迹象。NAND 方面，近日市场也传出上游 NAND 原厂计划从 7 月开始调涨价格的消息。

此外，据网信办 5 月消息，在中国存储市场 " 占地不菲 " 的美光公司未能通过网络安全审查，平安证券研报指出，2022 年美光在中国大陆的营业收入为 33.11 亿美元。分析人士指出，倘若美光在中国的业务受限，首先受益的自然是利基存储市场。在技术壁垒相对较低的利基存储领域，兆易创新是成长最快、实力最强的公司。此外，车载存储龙头北京君正和国内 SLC NAND 领域龙头东芯股份有望受益。下游的存储模组行业，江波龙和佰维存储在全球市场也有较强竞争力，其中江波龙的 eMMC 及 UFS 产品在全球市场占有率为 6.5%，全球第六，国内第一；佰维存储的 eMMC 及 UFS 全球市占率 2.4%，全球第八，国内第二。这两家公司的主要供应商都包括美光。

分析人士指出，虽然存储芯片下游的库存压力还在，但通过主要厂商的动态以及行业分析数据来看底部就在眼前，为了赶上行业拐点之后的下一波旺周期，万润科技、力源信息、香农芯创和国芯科技等众多厂商跨界布局。不过，分析人士亦指出，就算把国产存储已有的公司兆易创新、北京君正、东芯股份和普冉股份等算上，目前国产存储产品大都是在 SSD 模组和 NOR Flash 层面，很难触及国际厂商大力推行的高端 DRAM 等市场，这就导致国产存储厂商很难享受增量市场的红利，需要在存储市场供需中随波逐流。